| 说起DDR内存,大家都已经很熟悉了。很早以前,以nVIDIA为首的众多显卡(及显示芯片)厂商们纷纷推出了配备有DDR
SDRAM的显示卡。时至今日,Intel也放弃了价格昂贵的Rambus,转而支持曾经是眼中钉的DDR内存(Intel即将推出支持DDR
SDRAM的I845D芯片组),再加上VIA、SiS、AMD等众多厂商的大力推广,似乎预示着DDR即将全面取代SDRAM和Rambus,成为下一代内存标准。
在DDR内存刚刚成立标准的时候,很多人都对DDR内存的前途表示怀疑。因为在当时,DDR内存的性能并不象它标称的那样,比SDRAM高一倍,提升的幅度不过10~15%左右而已。另外价格方面也并不占优势,比SDRAM高出一倍多的价格并没有换来高出一倍的性能。再加上Intel当时全力支持的Rambus的打压,甚至有人预言DDR数个月后就会消亡。而现在的情况是什么样?电子市场里,成品DDR内存随处可见,并没有杂牌的兼容条,比较常见的有现代、三星、KingMax等等。Rambus反而因为过高的价格而导致无人问津,为什么会发生如此大的变化?原因有以下几点:一是由于普通SDRAM价格狂泄不止,连带着DDR内存也跟着降价,现在一条名牌PC133
128MB SDRAM卖100元左右,而一条同品牌的DDR SDRAM也不过140元左右,仅仅40元的差价使大多数消费者都会毫不犹豫地选择后者;二是因为支持DDR
SDRAM的芯片组已经比DDR刚刚问世时多了很多,比如VIA KT266/P4X266、SiS
735/645、AMD 761等等。而采用这些芯片组的主板更是铺天盖地而来,象华硕、技嘉、微星、升技、精英、盘英等名牌大厂都有多款相应产品。第三点原因是由于技术的进步,芯片组对DDR
内存的支持已经比以前好了很多,DDR内存对系统整体性能的影响日益明显,采用DDR内存能够提升不少系统性能,这才是相当一部分用户关心DDR的最根本原因。第四,由于Intel和Rambus关系的破裂以及Rambus价格昂贵的原因,各个芯片组厂商纷纷推出了支持DDR内存的P4芯片组,借助P4的强大号召力,使DDR内存的影响再次扩大。
虽然很多朋友都对DDR内存十分了解了,但考虑到不少初级读者,我们还是先来简单介绍一下DDR内存。DDR
SDRAM(Dual Date Rate SDRSM),其特点就是在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输(SDRAM仅能在上升沿传输数据),所以能将内存的传输速率提高一倍,工作频率为133MHz的时候,内存带宽可达到2.1GB(也就是常说的PC2100)。在生产成本方面,以前用于生产SDRAM的生产线只要稍微经过改造即可用于生产DDR
SDRAM,在制造技术和原料消耗方面基本相同(仅仅多了两道工序而已)。DDR与普通SDRAM的另一个比较明显的不同点在于电压,普通SDRAM的额定电压为3.3V,而DDR则为2.5V,更低的电压意味着更低的功耗和更小的发热量,符合越来越注重“绿色、环保‘的时代潮流。其实DDR内存的广泛应用最早还是在显卡方面,显示芯片发展到GeForce
256这个档次后,显存带宽成了制约显卡整体性能的主要瓶颈,采用SDRAM作为显存根本无法满足那越来越变态的带宽需求,于是众多厂商开始采用DDR
SDRAM(或DDR SGRAM)作为显存,由于DDR显存的理论带宽要比SDRAM高一倍,所以采用DDR显存的显卡的整体性能要比用SDRAM做显存快得多。
在速度的划分上,DDR内存以前是根据它的工作频率来进行标记的,例如PC200、PC266等(100MHz
x 2,133MHz x 2)。但听起来好象没有同样以工作频率来标记的Rambus快,对于不甚了解电脑硬件的消费者来说尤其如此——因为Rambus的位宽虽然仅有16bit,但工作频率却高达400MHz,再加上它也可以在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输,所以标记起来动辄就是PC600、PC800。于是DDR内存也改换了命名方式,将理论上的最大数据传输率作为速度标记,例如133MHz的DDR
SDRAM,其理论数据传输率为2100MB/秒(64 bit x 133 MHz x 2
= 2133 MB/秒),就标记为PC2100。这里还要多说一句,显卡上用的虽然也是DDR
SDRAM,但由于其显存位宽为128bit,所以在相同的工作频率下,其带宽要比位宽仅有64bit的DDR内存高出一倍。
早在PC100规范的SDRAM时代,KingMax内存就以优秀的性能在广大用户心中已经树立起了良好形象,不少用户在装机时点名要求配备KingMax内存。这次我们拿到的就是KingMax最新推出的两款DDR
SDRAM——DDR-300和DDR-333。
KingMax DDR-300(DDR-333)主要特性:
·符合JEDEC(Joint Electron Device Engineering
Council)标准的184针DIMM;
·四Bank,工作电压为2.5V;
·峰值传输速率为2.4GB/秒(DDR-333为2.7GB/秒);
·CL为2.5时,最高工作频率为300MHz(DDR-333为333MHz);
·KingMax专利的TinyBGA封装,芯片大小为11 x 13毫米,采用0.15微米工艺制造;
·采用6层PCB板;
·SPD采用8针2K容量EEPROM。
在正式开始评测以前,我们有必要先简单介绍一下TinyBGA技术,TinyBGA技术是KingMax的专利,于1998年8月开发成功。BGA(Ball
Gird Array,球形封装)是新一代芯片封装技术,象十分常见的主板南北桥、显卡的主芯片等等几乎百分之百地采用了BGA封装技术。而TinyBGA(Tiny
Ball Grid Array,小型球栅阵列封装)就是微型BGA的意思,TinyBGA属于BGA封装技术的一个分支,采用BT树脂以替代传统的TSOP技术,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能。
TinyBGA封装的芯片与普通TSOP封装的芯片相比,有以下几个特点:
一、单位容量内的存储空间大大增加,相同大小的两片内存颗粒,TinyBGA封装方式的容量能比TSOP高一倍,成本也不会有明显上升,而且当内存颗粒的制程小于0.25微米时,TinyBGA封装的成本比TSOP还要低。
二、具有较高的电气性能。TinyBGA封装的芯片通过底部的锡球与PCB板相连,有效地缩短了信号的传输距离,信号传输线的长度仅是传统TSOP技术的四分之一,信号的衰减也随之下降,能够大幅度提升芯片的抗干扰性能。
三、具有更好的散热能力。TinyBGA封装的内存,不但体积比相同容量的TSOP封装芯片小,同时也更薄(封装高度小于0.8毫米),从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36毫米。相比之下,TinyBGA方式封装的内存拥有更高的热传导效率,TinyBGA封装的热抗阻比TSOP低75%。
我们这次一共拿到了两条KingMax出品的DDR内存,分别是DDR-300和DDR-333,这两根内存除了标签不同之外,无论是颗粒的编号,还是PCB板的布线,贴片元件的位置及型号,甚至连SPD中的信息都一模一样(关于SPD信息的问题,后面会提到)。
测试平台如下:
CPU:Intel P4(478针脚)1.5GHz;
主板:SiS 645芯片组,正式支持DDR-333;
内存:KingMax DDR-300及DDR-333(均为256MB);
显卡:nVIDIA GeForce3 Ti200;
硬盘:希捷酷鱼IV 40GB;
操作系统:MicroSoft Windows 98 SE 英文版;
测试软件:SiSoft Sandra 2001(Memory Benchmark),Super-PI,Quake3
Arena。
由于现在的VIA KT266(KT266A)、VIA P4X266、AMD 760以及SiS
735等芯片组并不支持DDR-333(只有丽台刚推出的一款SiS 735芯片组主板——7350KDA经过其技术人员的努力,提供了对DDR-333的支持),所以我们选用了尚处于工程样品阶段的SiS
645芯片组主板来测试这两款内存,因为SiS 645是正式支持DDR-333的产品,并且马上就要上市了。
首先是SiSoft Sandra 2001里的Memory Benchmark项目,此两款内存都能稳定工作在DDR-266(也就是PC2100)规范下:
可以看出SiS 645芯片组的内存性能确实不俗,在标准的133MHz、CL=2.5条件下,内存吞吐量已经达到了普通PC133
SDRAM的两倍(而且还是CL=2),真正发挥出了DDR的实力。
接下来是DDR-300,不过这块SiS 645主板的BIOS中没有专门提供关于DDR-300的选项,所以我们只好选择了“112MHz
/ 149MHz”选项,将系统总线整体提升12%,此时CPU外频为112MHz,内存频率为149MHz(算上双倍速率就是298MHz了)。峰值传输速率为2400MB/秒。
内存吞吐量提升幅度达12%,此时的内存性能已经比PC600的Rambus还强,两根内存都经受住了考验,没有出现任何不稳定的迹象。
然后是DDR-333测试,那条标记为DDR-300的内存已经处于超频状态,能够成功进入Windows
98,但在运行Memory Benchmark的时候出错。所以下面的Memory Benchmark测试结果仅针对KingMax
DDR-333内存而言。此时的峰值传输速率为2700MB/秒,内存的工作频率为166MHz。
性能提升虽然没有质的飞跃,但此时的内存性能已经与PC800的Rambus相差无几,看来物美价廉的DDR取代价格昂贵的Rambus已经是时间上的问题了。进一步将内存频率提升到200MHz后,无法开机,内存超频失败。
在Super-PI 104万位的测试中,DDR-333比DDR-266时少用了4秒钟计算完毕,而DDR-300的超快速度则完全是因为CPU超频的缘故。
然后是传统的Quake 3 Arena测试,测试共分三种分辨率:512x384、1024x768和1600x1200。512x384分辨率就是Quake
3 Arena中的“Fastest”模式,而1024x768和1600x1200分辨率时并非是单纯的“High
Quality”,还要把所有可能会影响速度的选项全部打开(V-SYNC除外)。
DDR-300比DDR-333还快的原因是当时CPU也处于超频状态,主频为1.7GHz。在低分辨率模式下,受到CPU速度的限制,DDR-266和DDR-333几乎没什么差别。随着分辨率提高,差距也逐渐明显起来,在1600x1200分辨率下,搭配了P4
1.7G的DDR-300和搭配了P4 1.5G的DDR-333得分相同,都比DDR-266高出十几帧。换句话说,将内存频率由300MHz提升到333MHz,所获得的整体性能提升相当于将P4
1.5G超频到1.7G,还是比较可观的。
下面是通过SPDINFO读出的信息:
No bytes in SPD : 128
Total No of Bytes : 256
Memory Type : DDR-SDRAM
No. Module Rows : 2
Module Data Width : 64-bit
Address Row/Columns : 12 / 10 bits
SDRAM Width : x8
Burst Lengths Support: 8 4 2
No. Banks: 4
CL Latencies Support : 4 3
CS Latencies Support : 0
WE Latencies Support : 1
Cycle Time High CAS : 7.5ns -> 133MHz
Access Time High CAS : 0.75ns
Cycle Time Low CAS : 10.0ns -> 100MHz
Access Time Low CAS : 0.75ns
Module Attributes : DClkI
Min. Row Precharge : 20ns
Min. RowA to RowA : 15ns
Min. RAS to CAS Delay: 20ns
Min. RAS Pulse Width : 45ns
Module Size : 256MB
SPD Version : 0.0
Manufacturer Code : 25 7F 7F 7F 00 00 00 00
Part No. : MPLB62D-68KX3-MAA
Manufacturer Data :
Manufacture Location : 41
Revision Code : 32.32
Manufacture Date : '01 week 00
Serial Number : 00000000
Intel Spec. Frequency: Unknown 0
Intel PC100 Spec : CL3 CL2 ConAP
Tristar MPLB62D-68KX3-MAA 256MB 16x(16Mx8)
DDR-SDRAM PC2100U-2533-750 (CL2.5 upto 133MHz)
(CL2 upto 100MHz)
两款内存中的SPD信息完全一样,且都是PC2100规范的。这样做的目的是为了兼容现在绝大多数仅支持PC2100规范的主板,使其能够顺利读出SPD信息。
通过此次测试,我们认为KingMax推出的这两款产品还是十分成功的,虽然目前还没有能够正式支持DDR-300及DDR-333的芯片组,但相信这仅仅是个时间上的问题,正式支持DDR-333的SiS
645芯片组主板已经整装待发,而DDR内存则先行一步。DDR-333迟早会成为市场主流,就象现在PC150和PC166的内存大行其道一样 |